레이시언, GaN 반도체 기술의 새로운 이정표 달성
http://www.asdnews.com/news-54302/Raytheon_hits_another_major_milestone_with_GaN.htm
레이시언이 차세대 갈륨질소(GaN) 주파수 반도체 기술에 있어 새로운 이정표를 세웠습니다.
현재의 GaN 기판을 대체하기 위해 다이아몬드와 함께 실리콘 카바이드를 사용하여 3~5배 높은 열 전도율을 달성했습니다.
단어들이 어려워서 그러니 잘 아시는 분이 다시 번역좀 -_-
폴라리스
캬오스토리 2014.04.02. 11:33
뭐... 뭔진 모르지만 굉장한거 같아요~!
ㅜ.ㅜ
ㅜ.ㅜ
볼츠만 2014.04.02. 14:59
열전도율이 높은 다이아몬드를사용하면 냉각효과가 좋아 대출력소자만들기 유리하겠군요. 다만 가격은 많이 뛸것 같은데요.
리그리스 2014.04.04. 06:11
다이아몬드 기판 떡밥은 꽤나 오래된 전부터 이야기 나오긴 했었는데 이제 실용화 되긴 하는군요.
단가는 모르겠습니다만 어차피 진공에서 번식(?)시키는 거라 개당 단가보단 대량 제조 설비 투자비용 쪽이 문제일듯.
단가는 모르겠습니다만 어차피 진공에서 번식(?)시키는 거라 개당 단가보단 대량 제조 설비 투자비용 쪽이 문제일듯.
eceshim 2014.04.04. 07:27
RF 증폭회로로 대새인 GaN를 이용한 MMIC칩을 한단계 다 도약할 차세대 소재로 다이아몬드 기판을 사용한다는 겁니다.
다만 늘 그렇듯 이곳 부터 잘 만들어야 합니다
밴드갭 에너지가 3eV 이상인 다이아몬드 이고 탄소가 전자 이동도가 좋습니다.
덕분에 열로 인한 열잡음과 열화 현상에 강하죠
다만 다이아몬드를 잉곳으로 만들어서 짤라서 웨이퍼로 가공을 한뒤 식각을 하는건 엄청난 만제입니다.
eceshim 2014.04.04. 07:28
실리콘 카바이드는 전기자동차 모터드라이브 스위칭용으로 잘 쓰이는 IGBT로 잘 쓰입니다
eceshim 2014.04.04. 07:37
저런 대출력 고주파 RF 회로는 전기를 많이 먹고 발열이 심한데요. 지극히 간단하게 설명하면 높은 신호 이득을 위해서는 당연히 전원을 높은걸 써야 하고 이는 전류가 많이 흐릅니다.
때문에 소자가 자체적으로 가진 저항 때문에 으마으마한 열이 발생되는데요
이는 반도체 성능저하을 초래하고 노이즈가 심하게 됩니다.
근대 GaN같은 물질을 쓰면 밴드갭 에너지(전자가 안정 상태에서 자유롭게 싸돌아 다니기 위해 먹어야 하는 최소한의 에너지) 가 3EV 가 넘어갑니다
때문에 소자가 자체적으로 가진 저항 때문에 으마으마한 열이 발생되는데요
이는 반도체 성능저하을 초래하고 노이즈가 심하게 됩니다.
근대 GaN같은 물질을 쓰면 밴드갭 에너지(전자가 안정 상태에서 자유롭게 싸돌아 다니기 위해 먹어야 하는 최소한의 에너지) 가 3EV 가 넘어갑니다
eceshim 2014.04.04. 07:43
그리고 이 물질이 전자 이동도가 좋고 전류도 잘흘리고 기생저항도 작구요 덕분에 열이 덜나면서 강하기도 하죠 그래서 쿨러 설계에 여유가 있는 것이구요
근대 이젠 이것도 모자라서 다이아몬드라 흥미롭네요
신고
"님의 댓글"
이 댓글을 신고하시겠습니까?