DARPA와 레이시언이 다이아몬드 기반 GaN 마이크로칩 개발중

미 국방부 산하 DARPA는 고출력 레이더와 무선주파수(RF) 통신 응용을 전술적 수준으로 끌어올리기 위해 레이시온과 손잡고 질화갈륨(GaN) 반도체용 다이아몬드 기반의 새로운 기판을 개발하고 있다.

극도의 내구성과 안정적인 전송 속도로 유명한 광대역통신 반도체인 GaN 지원 마이크로일렉트로닉스 (ME) 시스템은 비교 가능한 실리콘 기반의 ME 시스템보다 일상적으로 더 나은 성능을 발휘해왔다. 레이시온의 차세대 센서 및 마이크로일렉트로닉스 임무 지역 책임자인 Matt Tyhach에 따르면, "이 시스템들이 레이더든, [전자전]이든 미사일이든 RF 성능 면에서 그것은 우리 시스템의 심장 박동이다.